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智能电网到底是什么？

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 22 日 13:52 |
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| 分类: 行业知识
早在本世纪初，智能电网的概念就提出来了，并且经过风风光光的发展，在中国，智能电网已经成为风风光光的事业。但是智能电网到底是什么?你真的明白吗? 美国是这样定义： 美国能源部《Grid2030》：一个完全自动化的电力传输网络，能够监事和控制每个用户和电网节点，保证从电厂到终端用户整...  [详内文]

如何减慢组件功率衰减的速度？

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 22 日 13:44 | 分类: 行业知识
一、绪论 在光伏行业发展形势一片大好的情况下，光伏行业也出现了一些问题，其中光伏组件功率衰减幅度较大的问题，对电站运营者及组件厂商影响都比较大。本文试图从多个方面分析组件功率衰减的原因，尽量在生产中避免，提高组件质量，以减少电站运营者的投诉，提高自身声誉。 二、原因分析 目前市场...  [详内文]

美国权威分析储能在电力系统中的应用

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 18 日 16:29 |
关键字: ,
| 分类: 行业知识
能源互联网运行关键技术是清华四川能源互联网研究院重点研究方向之一，其重要组成部分为储能等灵活性资源与电力系统深度互动技术。研究院致力于推动储能等灵活性资源行业发展和电力市场化改革，服务于中国能源互联网市场变革与发展。 笔者比较关注储能与电力系统领域的发展，看到很多文章提及储能电力...  [详内文]

0.5+0.5>1！半片组件如何做到降本增效！

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 17 日 14:55 | 分类: 行业知识
前不久朋友圈里发了一组视频，是关于半片组件和常规组件在阴影遮挡下的输出性能对比，从水流的大小非常直观地反映了半片组件的抗遮挡性能，但是作为一名技术达人，我们还需要通过数据来进行深入的分析。 半片组件的抗遮挡性能 由于半片组件的特殊结构，当发生阴影遮挡，从理论上来说，由于旁路二极管...  [详内文]

反孤岛装置的组成、功作原理

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 16 日 16:19 | 分类: 行业知识
据国家电网分布式光伏发电典型设计规范要求，分布式光伏发电要求安装反孤岛保护装置。分布式反孤岛保护装置其实是一个成套的柜子，安装在变压器侧。那么反孤岛装置由哪些主要设备组成。 壳体：反孤岛保护装置属于户外安装的控制保护柜，一般材质是304不锈钢，防护等级在IP44以上。一般安装在变...  [详内文]

PCC太阳能电池

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 18:05 | 分类: 行业知识
斯但福大学研发的PPC电池单晶硅高效电池的典型代表。PPC是的背面点接触(Point—contact cell)的缩写。点接触电池的结构与PERL电池一样，用TCA生长氧化层钝化电池正反面。为了减少金属条的遮光效应，金属电极设计在电池的背面。电池正面采用由光刻制成的金字塔（绒面）...  [详内文]

LBSF太阳能电池

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 18:03 | 分类: 行业知识
LBSF电池是深结局部背场 (Local Back Surface Fields)电池的简称，由德国Fraunhofer研究所研发，2cm×2cm电池效率达到23.3%。 来源：微博@和海一样的raybetapp官网进入 ...  [详内文]

LGBC太阳能电池

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 18:00 | 分类: 行业知识
LGBC电池是有激光刻槽埋栅电极 (Laser groove bury contact) 工艺电池的简称。由UNSW开发的技术，是利用激光技术在硅表面上刻槽，然后埋入金属，以起到前表面点接触栅极的作用。如图所示，发射结扩散后，用激光在前面刻出20μm宽、40μm深的沟槽，将槽清洗...  [详内文]

EWT太阳能电池

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 17:58 | 分类: 行业知识
EWT 电池是发射极环绕穿通（emitter-wrap-through，EWT）硅太阳能电池的简称。 与MWT电池不同的是，在EWT电池中，传递功率的栅线也被转移至背面。与MWT电池类似，EWT电池也是通过在电池上钻微型孔来连接上、下表面。相比MWT电池的每块硅片约200个通孔，...  [详内文]

HIT太阳能电池

作者 | 发布日期: 2018 年 05 月 15 日 17:51 |
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| 分类: 行业知识
HIT 电池是异质结( hetero-junction with intrinsic thin-layer , HIT) 太阳能电池的简称。1997年，日本三洋公司推出了一种商业化的高效电池设计和制造方法，电池制作过程大致如下：利用PECVD在表面织构化后的N型CZ-Si片的正面...  [详内文]