目前制备多晶矽薄膜的方法主要有如下几种:
1.低压化学气相沉积(LPCVD)
这是一种直接生成多晶矽的方法。LPCVD是积体电路中所用多晶矽薄膜的制备中普遍采用的标准方法,有生长速度快,膜致密、均匀、装片容量大等特点。多晶矽薄膜可采用矽烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上,典型...  [详内文]
多晶矽薄膜的制备方法 |
作者 |发布日期 2012 年 04 月 09 日 0:00 | | 分类 行业知识 |